Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
PMZB550UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZB550UNEYL

بخش سهام: 180213

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 590mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PSMN041-80YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN041-80YLX

بخش سهام: 126580

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PMV50UPE,215
Nexperia USA Inc.

PMV50UPE,215

بخش سهام: 147116

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 66 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
NX3008PBK,215
Nexperia USA Inc.

NX3008PBK,215

بخش سهام: 139409

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PMZ290UNE2YL
Nexperia USA Inc.

PMZ290UNE2YL

بخش سهام: 130425

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 320 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PSMN4R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN4R0-30YL,115

بخش سهام: 133524

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PMV48XPAR
Nexperia USA Inc.

PMV48XPAR

بخش سهام: 125231

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PSMN020-100YS,115
Nexperia USA Inc.

PSMN020-100YS,115

بخش سهام: 189766

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 43A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20.5 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PMPB33XP,115
Nexperia USA Inc.

PMPB33XP,115

بخش سهام: 189292

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 37 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PSMN2R8-40PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN2R8-40PS,127

بخش سهام: 38801

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.8 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PMV33UPE,215
Nexperia USA Inc.

PMV33UPE,215

بخش سهام: 199109

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PMZB290UNE,315
Nexperia USA Inc.

PMZB290UNE,315

بخش سهام: 111836

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PSMN4R3-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN4R3-100PS,127

بخش سهام: 23900

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PMV30XPEAR
Nexperia USA Inc.

PMV30XPEAR

بخش سهام: 108272

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PSMN5R0-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN5R0-80PS,127

بخش سهام: 38384

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PSMN3R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-40YS,115

بخش سهام: 164155

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PML260SN,118
Nexperia USA Inc.

PML260SN,118

بخش سهام: 143183

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 294 mOhm @ 2.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PMPB10XNEZ
Nexperia USA Inc.

PMPB10XNEZ

بخش سهام: 181421

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 9A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PMPB23XNEZ
Nexperia USA Inc.

PMPB23XNEZ

بخش سهام: 124658

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PHP23NQ11T,127
Nexperia USA Inc.

PHP23NQ11T,127

بخش سهام: 71793

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 110V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 23A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 13A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PSMN034-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN034-100PS,127

بخش سهام: 62612

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 34.5 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PMZ600UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZ600UNEYL

بخش سهام: 177703

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 600mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PSMN1R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.

PSMN1R2-25YLC,115

بخش سهام: 134456

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PMCM4401VPEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM4401VPEZ

بخش سهام: 102564

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PMCM4401UNEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM4401UNEZ

بخش سهام: 162770

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PSMN4R6-60PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN4R6-60PS,127

بخش سهام: 39675

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PSMN3R8-100BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN3R8-100BS,118

بخش سهام: 41338

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PSMN021-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN021-100YLX

بخش سهام: 167405

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 49A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21.5 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PMV50XPR
Nexperia USA Inc.

PMV50XPR

بخش سهام: 136553

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PSMN1R4-30YLDX
Nexperia USA Inc.

PSMN1R4-30YLDX

بخش سهام: 160382

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.42 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
PMZ600UNELYL
Nexperia USA Inc.

PMZ600UNELYL

بخش سهام: 129738

نوع FET: N-Channel, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 600mA (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PMZ370UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZ370UNEYL

بخش سهام: 109327

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 900mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 490 mOhm @ 500mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PMCM6501UNEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM6501UNEZ

بخش سهام: 195673

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PMZB350UPE,315
Nexperia USA Inc.

PMZB350UPE,315

بخش سهام: 138063

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 300mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PMCM4401UPEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM4401UPEZ

بخش سهام: 142773

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
PMXB43UNEZ
Nexperia USA Inc.

PMXB43UNEZ

بخش سهام: 21530

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 54 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها