Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
BUK9Y25-80E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y25-80E,115

بخش سهام: 158384

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 37A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 10A, 5V,

لیست علاقه مندیها
BUK7Y10-30B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y10-30B,115

بخش سهام: 111872

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 67A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7Y13-40B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y13-40B,115

بخش سهام: 85175

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 58A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7M22-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7M22-80EX

بخش سهام: 115588

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 37A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK6213-30A,118
Nexperia USA Inc.

BUK6213-30A,118

بخش سهام: 195714

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 55A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9M6R6-30EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M6R6-30EX

بخش سهام: 111329

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9M9R1-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M9R1-40EX

بخش سهام: 180232

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 64A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9M28-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M28-80EX

بخش سهام: 180909

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 33A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9M43-100EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M43-100EX

بخش سهام: 192680

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9M15-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M15-60EX

بخش سهام: 168419

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 47A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7Y53-100B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y53-100B,115

بخش سهام: 173564

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 24.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 53 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7Y18-55B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y18-55B,115

بخش سهام: 185207

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 47.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7M8R0-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7M8R0-40EX

بخش سهام: 133300

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 69A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7M12-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK7M12-60EX

بخش سهام: 194417

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 53A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9Y53-100B,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y53-100B,115

بخش سهام: 117369

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 23A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BSP126,135
Nexperia USA Inc.

BSP126,135

بخش سهام: 181906

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 375mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7M27-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7M27-80EX

بخش سهام: 181775

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9M35-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M35-80EX

بخش سهام: 172353

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 26A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9M19-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M19-60EX

بخش سهام: 141900

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 38A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9Y25-60E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y25-60E,115

بخش سهام: 135009

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 34A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9Y41-80E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y41-80E,115

بخش سهام: 158657

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 24A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9245-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9245-55A,118

بخش سهام: 135060

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9M10-30EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M10-30EX

بخش سهام: 108711

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 54A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.8 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9M24-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M24-60EX

بخش سهام: 184221

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7M10-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7M10-40EX

بخش سهام: 182442

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 56A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BSS123,215
Nexperia USA Inc.

BSS123,215

بخش سهام: 150743

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 150mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 120mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7M12-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7M12-40EX

بخش سهام: 189511

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 48A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7Y20-30B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y20-30B,115

بخش سهام: 187615

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 39.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9Y22-30B,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y22-30B,115

بخش سهام: 143999

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 37.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9Y72-80E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y72-80E,115

بخش سهام: 140495

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9Y43-60E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y43-60E,115

بخش سهام: 139643

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y21-40E,115

بخش سهام: 168547

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 33A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK9237-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9237-55A,118

بخش سهام: 193857

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7Y43-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y43-60EX

بخش سهام: 106628

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7Y72-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y72-80EX

بخش سهام: 172331

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
BUK7Y21-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y21-40EX

بخش سهام: 183768

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 33A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها