ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

APTM20DHM20TG

بخش سهام: 2966

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 89A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120TA57FPG

بخش سهام: 3311

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V (1.2kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC80DSK15T3G

بخش سهام: 2936

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 2mA,

APTMC60TLM55CT3AG

بخش سهام: 222

نوع FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), ویژگی FET: Silicon Carbide (SiC), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V (1.2kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ),

APTMC120AM16CD3AG

بخش سهام: 166

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Silicon Carbide (SiC), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V (1.2kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 131A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ),

APTMC60TL11CT3AG

بخش سهام: 420

نوع FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), ویژگی FET: Silicon Carbide (SiC), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V (1.2kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 1mA,

APTC90AM60SCTG

بخش سهام: 647

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 59A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12SCTG

بخش سهام: 686

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC60DSKM70CT1G

بخش سهام: 2914

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 39A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60DDAM70CT1G

بخش سهام: 3376

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 39A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTML502UM90R020T3AG

بخش سهام: 2888

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 52A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTC60DDAM45CT1G

بخش سهام: 2940

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 49A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTML102UM09R004T3AG

بخش سهام: 2898

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 154A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTML202UM18R010T3AG

بخش سهام: 2939

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 109A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTML1002U60R020T3AG

بخش سهام: 3301

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1000V (1kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 720 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM50DHM65T3G

بخش سهام: 3350

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 51A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120VDA57T3G

بخش سهام: 2866

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V (1.2kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM10DHM09T3G

بخش سهام: 2896

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 139A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM100TA35SCTPG

بخش سهام: 293

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1000V (1kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC90AM60T1G

بخش سهام: 1142

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 59A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90AM602G

بخش سهام: 2917

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 59A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC60DSKM70T1G

بخش سهام: 2886

نوع FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 39A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60AM83BC1G

بخش سهام: 2885

نوع FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC60DSKM45T1G

بخش سهام: 2935

نوع FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 49A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTC60AM42F2G

بخش سهام: 2862

نوع FET: 2 N Channel (Phase Leg), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 66A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 6mA,

APTC60AM83B1G

بخش سهام: 2932

نوع FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC90H12T1G

بخش سهام: 1136

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90TAM60TPG

بخش سهام: 424

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 59A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90HM60T3G

بخش سهام: 666

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 59A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12T2G

بخش سهام: 2898

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DSK12T1G

بخش سهام: 5403

نوع FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DDA12T1G

بخش سهام: 2849

نوع FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTJC120AM13VCT1AG

بخش سهام: 2840

APTM60A23FT1G

بخش سهام: 2807

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 1mA,

APTM50TDUM65PG

بخش سهام: 3356

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 51A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50DUM38TG

بخش سهام: 2789

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 5mA,