ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

MCQ4435-TP

MCQ4435-TP

بخش سهام: 177277

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.1A (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 9.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI2304-TP

SI2304-TP

بخش سهام: 189065

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI2310-TP

SI2310-TP

بخش سهام: 190258

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI2305-TP

SI2305-TP

بخش سهام: 160152

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2A, 1.8V,

لیست علاقه مندیها
SI3404-TP

SI3404-TP

بخش سهام: 8848

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 5.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI3139K-TP

SI3139K-TP

بخش سهام: 190002

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 660mA, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 950 mOhm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI3400A-TP

SI3400A-TP

بخش سهام: 24337

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 5.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
MCM1216-TP

MCM1216-TP

بخش سهام: 126081

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI2301-TP

SI2301-TP

بخش سهام: 190821

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI2302-TP

SI2302-TP

بخش سهام: 193407

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI3134K-TP

SI3134K-TP

بخش سهام: 158865

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 750mA, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 450mA, 1.8V,

لیست علاقه مندیها
SI3434-TP

SI3434-TP

بخش سهام: 7268

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها