دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها | محصولات نیمه هادی گسسته | 1

SS275TI12205

بخش سهام: 747

پیکربندی دیود: 3 Independent, نوع دیود: Silicon Carbide Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 5A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.8V @ 5A, سرعت: No Recovery Time > 500mA (Io),

لیست علاقه مندیها

IXYS-RF

SS150TC60110

بخش سهام: 709

پیکربندی دیود: 3 Common Cathode, نوع دیود: Silicon Carbide Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 10A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.8V @ 5A, سرعت: No Recovery Time > 500mA (Io),

لیست علاقه مندیها

IXYS-RF

SS150TA60110

بخش سهام: 733

پیکربندی دیود: 3 Common Anode, نوع دیود: Silicon Carbide Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 10A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.8V @ 5A, سرعت: No Recovery Time > 500mA (Io),

لیست علاقه مندیها

IXYS-RF

SS275TA12205

بخش سهام: 711

پیکربندی دیود: 3 Common Anode, نوع دیود: Silicon Carbide Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 5A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.8V @ 5A, سرعت: No Recovery Time > 500mA (Io),

لیست علاقه مندیها

IXYS-RF

SS275TC12205

بخش سهام: 751

پیکربندی دیود: 3 Common Cathode, نوع دیود: Silicon Carbide Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 5A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.8V @ 5A, سرعت: No Recovery Time > 500mA (Io),

لیست علاقه مندیها

IXYS-RF

SS150TI60110

بخش سهام: 671

پیکربندی دیود: 3 Independent, نوع دیود: Silicon Carbide Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 10A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.8V @ 5A, سرعت: No Recovery Time > 500mA (Io),

لیست علاقه مندیها