بخش سهام: 335
نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 360mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,