ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک | محصولات نیمه هادی گسسته | 60

IXTH160N075T

بخش سهام: 415

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTK120N25

بخش سهام: 4300

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFT26N60Q

بخش سهام: 5329

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 26A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 13A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTY50N085T

بخش سهام: 398

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 85V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFH66N20Q

بخش سهام: 8071

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 66A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 33A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

FDM100-0045SP

بخش سهام: 368

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.2 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFH12N120

بخش سهام: 4695

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFK120N25

بخش سهام: 4403

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTQ160N075T

بخش سهام: 415

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFT17N80Q

بخش سهام: 430

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTH230N085T

بخش سهام: 407

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 85V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFT16N90Q

بخش سهام: 7107

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 650 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFH30N40Q

بخش سهام: 384

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXKH47N60C

بخش سهام: 4720

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 47A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTP152N085T

بخش سهام: 444

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 85V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 152A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFT60N25Q

بخش سهام: 6063

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 47 mOhm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTF250N075T

بخش سهام: 419

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 140A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTV280N055T

بخش سهام: 448

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 280A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTK90N15

بخش سهام: 4632

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 45A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTH200N085T

بخش سهام: 395

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 85V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTA180N085T

بخش سهام: 417

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 85V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFR14N100Q2

بخش سهام: 4641

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1000V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 7A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTP180N055T

بخش سهام: 446

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180A (Tc),

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFH15N100Q

بخش سهام: 4307

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1000V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFK150N15

بخش سهام: 4421

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 150A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12.5 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTH180N085T

بخش سهام: 365

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 85V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTQ250N075T

بخش سهام: 410

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 250A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTV230N085TS

بخش سهام: 6050

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 85V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

FMD80-0045PS

بخش سهام: 341

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 150A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 110A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFV14N80P

بخش سهام: 431

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 720 mOhm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFQ26N50Q

بخش سهام: 8594

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 26A (Tc),

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFR24N50Q

بخش سهام: 7650

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 230 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFX12N90Q

بخش سهام: 4848

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 900 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTA90N055T

بخش سهام: 415

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.8 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXFC14N80P

بخش سهام: 357

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 770 mOhm @ 7A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IXYS

IXTA240N055T7

بخش سهام: 447

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 240A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها