ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک | محصولات نیمه هادی گسسته | 1

HTNFET-D

بخش سهام: 199

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Honeywell Aerospace

HTNFET-T

بخش سهام: 199

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Honeywell Aerospace

HTNFET-TC

بخش سهام: 211

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Honeywell Aerospace

HTNFET-DC

بخش سهام: 199

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

لیست علاقه مندیها