Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

دیودها - یکسو کننده ها - تک

1N4586GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GP-E3/54

بخش سهام: 168864

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1000V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 1A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1V @ 1A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 2µs,

به لیست دلخواه
1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

بخش سهام: 2917

نوع دیود: Standard, Reverse Polarity, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 150A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.5V @ 150A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه
1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

بخش سهام: 4336

نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 50A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

بخش سهام: 12061

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 50V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 12A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.4V @ 12A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 200ns,

به لیست دلخواه
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

بخش سهام: 9557

نوع دیود: Standard, Reverse Polarity, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 12A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.4V @ 12A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 200ns,

به لیست دلخواه
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

بخش سهام: 14337

نوع دیود: Standard, Reverse Polarity, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 35A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 35A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

بخش سهام: 7092

نوع دیود: Standard, Reverse Polarity, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 60A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

بخش سهام: 15967

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 12A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 12A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

بخش سهام: 10679

نوع دیود: Standard, Reverse Polarity, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 40A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 40A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

بخش سهام: 11089

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 40A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 40A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

بخش سهام: 7743

نوع دیود: Standard, Reverse Polarity, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 60A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه
1N5553US
Microsemi Corporation

1N5553US

بخش سهام: 5530

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 800V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 3A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 9A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 2µs,

به لیست دلخواه
1N4150-1
Microsemi Corporation

1N4150-1

بخش سهام: 35775

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 50V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 200mA, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1V @ 200mA, سرعت: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, زمان بازیابی معکوس (trr): 4ns,

به لیست دلخواه
1N5553
Microsemi Corporation

1N5553

بخش سهام: 6439

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 800V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 3A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 9A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 2µs,

به لیست دلخواه
1N6640US
Microsemi Corporation

1N6640US

بخش سهام: 6262

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 75V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 300mA (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1V @ 200mA, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 4ns,

به لیست دلخواه
1N6622
Microsemi Corporation

1N6622

بخش سهام: 5407

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 1.2A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.4V @ 1.2A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 45ns,

به لیست دلخواه
1N5804US
Microsemi Corporation

1N5804US

بخش سهام: 6351

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 1A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 875mV @ 1A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 25ns,

به لیست دلخواه
1N5552
Microsemi Corporation

1N5552

بخش سهام: 6290

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 3A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 9A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 2µs,

به لیست دلخواه
1N6080
Microsemi Corporation

1N6080

بخش سهام: 1677

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 2A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.5V @ 37.7A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 30ns,

به لیست دلخواه
1N3595US
Microsemi Corporation

1N3595US

بخش سهام: 5411

نوع دیود: Standard, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 4A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1V @ 200mA, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 3µs,

به لیست دلخواه
1N5616US
Microsemi Corporation

1N5616US

بخش سهام: 8604

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 1A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 3A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 2µs,

به لیست دلخواه
1N3611
Microsemi Corporation

1N3611

بخش سهام: 7627

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 1A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 1A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه
1N5619US
Microsemi Corporation

1N5619US

بخش سهام: 6582

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 1A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.6V @ 3A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 250ns,

به لیست دلخواه
1N914UR
Microsemi Corporation

1N914UR

بخش سهام: 24811

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 75V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 200mA, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 50mA, سرعت: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, زمان بازیابی معکوس (trr): 20ns,

به لیست دلخواه
1N5619
Microsemi Corporation

1N5619

بخش سهام: 9843

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 1A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.6V @ 3A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 250ns,

به لیست دلخواه
1N5416US
Microsemi Corporation

1N5416US

بخش سهام: 5319

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 3A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.5V @ 9A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 150ns,

به لیست دلخواه
1N5807
Microsemi Corporation

1N5807

بخش سهام: 6580

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 50V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 3A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 875mV @ 4A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 30ns,

به لیست دلخواه
1N5554
Microsemi Corporation

1N5554

بخش سهام: 6400

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1000V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 3A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 9A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 2µs,

به لیست دلخواه
1N5711-1
Microsemi Corporation

1N5711-1

بخش سهام: 7979

نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 70V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 33mA, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1V @ 15mA, سرعت: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

به لیست دلخواه
1N5620
Microsemi Corporation

1N5620

بخش سهام: 10754

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 800V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 1A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 3A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 2µs,

به لیست دلخواه
1N5550
Microsemi Corporation

1N5550

بخش سهام: 7965

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 3A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 9A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 2µs,

به لیست دلخواه
1N5822US
Microsemi Corporation

1N5822US

بخش سهام: 643

نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 3A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 500mV @ 3A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه
1C5819.T
SMC Diode Solutions

1C5819.T

بخش سهام: 90011

نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 20V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 1A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 450mV @ 1A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه
1C5822.T
SMC Diode Solutions

1C5822.T

بخش سهام: 90043

نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 3A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 9.4A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه
1N3647
Semtech Corporation

1N3647

بخش سهام: 7939

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 3000V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 600mA, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 5V @ 250mA, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), زمان بازیابی معکوس (trr): 2.5µs,

به لیست دلخواه
1N5819HW-13
Diodes Incorporated

1N5819HW-13

بخش سهام: 2626

نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io): 1A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 3A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه