ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

QS8K13TCR

بخش سهام: 183897

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

به لیست دلخواه

SP8K31TB1

بخش سهام: 132551

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

به لیست دلخواه

SH8KA2GZETB

بخش سهام: 158789

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

به لیست دلخواه

SH8K5TB1

بخش سهام: 122471

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

به لیست دلخواه

QS8K21TR

بخش سهام: 194558

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 45V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

به لیست دلخواه

QS8M12TCR

بخش سهام: 150953

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

به لیست دلخواه

SH8M14TB1

بخش سهام: 116026

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

به لیست دلخواه

IRF7104TRPBF

بخش سهام: 104561

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه

IRF7379TRPBF

بخش سهام: 199093

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه

IPG20N10S4L22AATMA1

بخش سهام: 108999

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 25µA,

به لیست دلخواه

IRF6802SDTRPBF

بخش سهام: 60962

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 35µA,

به لیست دلخواه

IPG20N06S4L26ATMA1

بخش سهام: 197280

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 10µA,

به لیست دلخواه

IRLHS6376TRPBF

بخش سهام: 115333

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 10µA,

به لیست دلخواه

IRF7902TRPBF

بخش سهام: 168640

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.4A, 9.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.25V @ 25µA,

به لیست دلخواه

FDS8978

بخش سهام: 143107

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

NTZD5110NT1G

بخش سهام: 185466

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 294mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

FDG6322C

بخش سهام: 124499

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

HUFA76413DK8T-F085

بخش سهام: 2586

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه

NTJD5121NT1G

بخش سهام: 179833

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 295mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

FDPC8012S

بخش سهام: 47700

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 26A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

به لیست دلخواه

MCH6661-TL-W

بخش سهام: 182202

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, 4V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 1mA,

به لیست دلخواه

Nexperia USA Inc.

PMDPB85UPE,115

بخش سهام: 183418

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 103 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 950mV @ 250µA,

به لیست دلخواه

Nexperia USA Inc.

PMDT290UNEYL

بخش سهام: 2497

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 950mV @ 250µA,

به لیست دلخواه

SI4559ADY-T1-E3

بخش سهام: 141967

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.3A, 3.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه

SQ9945BEY-T1_GE3

بخش سهام: 163985

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 64 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

SI7922DN-T1-E3

بخش سهام: 86587

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

Toshiba Semiconductor and Storage

SIA923AEDJ-T1-GE3

بخش سهام: 138927

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 54 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

به لیست دلخواه

SSM6L12TU,LF

بخش سهام: 2495

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 4.5V, 260 mOhm @ 250mA, 4V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 100µA,

به لیست دلخواه

DMN63D8LV-7

بخش سهام: 151779

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 260mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

ZDM4306NTC

بخش سهام: 2685

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 1mA,

به لیست دلخواه

DMC2990UDJ-7

بخش سهام: 146844

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 450mA, 310mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه

DMN2050LFDB-13

بخش سهام: 178082

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه