ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

PHKD13N03LT,118

بخش سهام: 2834

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,

SI3911DV-T1-E3

بخش سهام: 2792

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI4565ADY-T1-E3

بخش سهام: 2757

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.6A, 5.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI7945DP-T1-GE3

بخش سهام: 2809

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

SI6993DQ-T1-GE3

بخش سهام: 2801

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

SI5905BDC-T1-E3

بخش سهام: 2802

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

SI5943DU-T1-GE3

بخش سهام: 3377

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

SI5935DC-T1-GE3

بخش سهام: 2861

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 86 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

SI3586DV-T1-GE3

بخش سهام: 2865

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

IRF7755GTRPBF

بخش سهام: 2770

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7335D1TR

بخش سهام: 2727

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7331

بخش سهام: 2682

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7316QTRPBF

بخش سهام: 3347

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7503TR

بخش سهام: 2661

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7343QTRPBF

بخش سهام: 2838

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7757TRPBF

بخش سهام: 2819

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7304TR

بخش سهام: 2707

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 700mV @ 250µA,

TPCL4203(TE85L,F)

بخش سهام: 3305

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Standard, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 200µA,

FDG6313N

بخش سهام: 2667

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMFD4C88NT1G

بخش سهام: 36648

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.7A, 14.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTLJD2104PTAG

بخش سهام: 2796

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 800mV @ 250µA,

FDG6304P_D87Z

بخش سهام: 2747

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 410mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5489NLT3G

بخش سهام: 103434

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

EMH2412-TL-H

بخش سهام: 2854

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 3A, 4.5V,

NTZD3156CT1G

بخش سهام: 2797

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

HUFA76504DK8T

بخش سهام: 2775

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC4627R-A-TR

بخش سهام: 134119

NSTJD1155LT1G

بخش سهام: 2852

ECH8659-M-TL-H

بخش سهام: 2889

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, 4V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

NTND31225CZTAG

بخش سهام: 21663

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA (Ta), 127mA (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

FW282-TL-E

بخش سهام: 2908

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 35V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 37 mOhm @ 6A, 10V,

VEC2616-TL-H

بخش سهام: 2969

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 1mA,

STS4DPF30L

بخش سهام: 107386

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

EPC2102

بخش سهام: 24374

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 23A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 7mA,

SP8M9FU6TB

بخش سهام: 2786

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

US5K3TR

بخش سهام: 2728

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.5A,