ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

VQ1001P-2

بخش سهام: 2955

نوع FET: 4 N-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 830mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

به لیست دلخواه

SI4953ADY-T1-E3

بخش سهام: 3366

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

به لیست دلخواه

SQ4946EY-T1-E3

بخش سهام: 2909

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه

SI1551DL-T1-E3

بخش سهام: 3285

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 290mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

SI5947DU-T1-GE3

بخش سهام: 2813

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

VQ1006P-2

بخش سهام: 2934

نوع FET: 4 N-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 90V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 400mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

به لیست دلخواه

SI4561DY-T1-E3

بخش سهام: 2835

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.8A, 7.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه

SI6993DQ-T1-E3

بخش سهام: 2760

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه

SI5905DC-T1-E3

بخش سهام: 2878

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

به لیست دلخواه

SIA912DJ-T1-GE3

بخش سهام: 2835

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه

NDS9933A

بخش سهام: 2707

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه

FDS6894AZ

بخش سهام: 2716

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

FDS4559-F085

بخش سهام: 5411

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه

FDW2520C

بخش سهام: 2720

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, 4.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

FD6M043N08

بخش سهام: 2778

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 65A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

به لیست دلخواه

MCH6605-TL-E

بخش سهام: 2963

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, 4V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 140mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

به لیست دلخواه

ECH8654-TL-HQ

بخش سهام: 2956

به لیست دلخواه

FDMC3300NZA

بخش سهام: 2769

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

FDD8426H

بخش سهام: 2797

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A, 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه

MMDF3N04HDR2G

بخش سهام: 2776

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه

FDS6892AZ

بخش سهام: 2717

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

FDS3601

بخش سهام: 2704

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 480 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

به لیست دلخواه

FDG6301N_D87Z

بخش سهام: 3287

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه

IRF9953

بخش سهام: 2696

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه

IRF7106

بخش سهام: 2699

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه

IRF7329TR

بخش سهام: 2673

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

به لیست دلخواه

IRF7901D1

بخش سهام: 2681

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه

ZXMC3A18DN8TA

بخش سهام: 2765

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A, 4.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

به لیست دلخواه

ZVN4206NTA

بخش سهام: 2720

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V,

به لیست دلخواه

ZXMD65P02N8TA

بخش سهام: 2712

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

به لیست دلخواه