ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

IRF5850TRPBF

بخش سهام: 2861

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7752TR

بخش سهام: 2727

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,

IRF7910PBF

بخش سهام: 2677

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,

NDS9955

بخش سهام: 2650

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT4

بخش سهام: 3343

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 630mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2521C

بخش سهام: 2698

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A, 3.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDQ7698S

بخش سهام: 2709

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A, 15A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8653-TL-H

بخش سهام: 2909

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 4A, 8V,

EFC6611R-A-TF

بخش سهام: 143033

HUFA76407DK8T

بخش سهام: 2694

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8697R-TL-W

بخش سهام: 174631

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.6 mOhm @ 5A, 4.5V,

ECH8651R-TL-H

بخش سهام: 196025

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V,

FDS4895C

بخش سهام: 2830

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A, 4.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 250µA,

ECH8651R-TL-HX

بخش سهام: 2884

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V,

NTLJD3181PZTBG

بخش سهام: 2812

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMD6N02R2

بخش سهام: 2688

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.92A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDMJ1028N

بخش سهام: 2696

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6994S

بخش سهام: 3320

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.9A, 8.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

SI1912EDH-T1-E3

بخش سهام: 2739

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.13A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 450mV @ 100µA (Min),

SI1563DH-T1-E3

بخش سهام: 3284

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.13A, 880mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 100µA,

SI4834CDY-T1-GE3

بخش سهام: 135475

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 1mA,

SI6943BDQ-T1-E3

بخش سهام: 2779

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 800mV @ 250µA,

SI7960DP-T1-GE3

بخش سهام: 2812

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

SI7222DN-T1-E3

بخش سهام: 2764

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.6V @ 250µA,

SI1553DL-T1

بخش سهام: 2791

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 660mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

IXTL2X180N10T

بخش سهام: 8037

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4.5V @ 250µA,

FMM150-0075P

بخش سهام: 2781

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 150A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 120A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 1mA,

GWM120-0075X1-SMD

بخش سهام: 2800

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 110A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 1mA,

GWM160-0055X1-SMDSAM

بخش سهام: 2777

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 150A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4.5V @ 1mA,

TMC1620-TO

بخش سهام: 2933

نوع FET: N and P-Channel, Common Drain, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.6A, 4.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

SP8M5TB

بخش سهام: 2649

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8M10FU6TB

بخش سهام: 2786

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

STS1DNF20

بخش سهام: 3271

PMDPB65UP,115

بخش سهام: 2646

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC3035LSD-13

بخش سهام: 2777

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.9A, 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 250µA,

DMP2100UCB9-7

بخش سهام: 181216

نوع FET: 2 P-Channel (Dual) Common Source, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,