ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

CWDM305ND TR13

بخش سهام: 155758

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

CMLDM7003G TR

بخش سهام: 145265

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 280mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

CMLDM7002AG TR

بخش سهام: 187169

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 280mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTMD6P02R2G

بخش سهام: 192373

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDMC8097AC

بخش سهام: 84069

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A (Ta), 900mA (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 155 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

NTHD4508NT1G

بخش سهام: 175416

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDC6401N

بخش سهام: 146944

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FW389-TL-2W

بخش سهام: 183608

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, 4V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 225 mOhm @ 2A, 10V,

FDS6986AS_SN00192

بخش سهام: 3010

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A, 7.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6.5A, 10V, 20 mOhm @ 7.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA,

FDC6420C

بخش سهام: 172122

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, 2.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMN601VK-7

بخش سهام: 199583

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 305mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMC2041UFDB-13

بخش سهام: 176346

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.7A, 3.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.4V @ 250µA,

DMN5L06DMKQ-7

بخش سهام: 127512

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 305mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

DMTH4007SPDQ-13

بخش سهام: 125165

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

DMC25D0UVT-13

بخش سهام: 177257

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 400mA, 3.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

TSM680P06DPQ56 RLG

بخش سهام: 16540

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 68 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

TSM4936DCS RLG

بخش سهام: 10837

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FMM65-015P

بخش سهام: 2720

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 65A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 1mA,

LKK47-06C5

بخش سهام: 2067

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 47A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 3mA,

GWM120-0075P3-SMD SAM

بخش سهام: 2286

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 118A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 1mA,

MCQ4559-TP

بخش سهام: 163911

نوع FET: N and P-Channel, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

SM6K2T110

بخش سهام: 120997

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TPS1120D

بخش سهام: 27273

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 15V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.17A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

CSD87384M

بخش سهام: 105031

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.9V @ 250µA,

CSD83325LT

بخش سهام: 151301

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.25V @ 250µA,

CSD87355Q5D

بخش سهام: 70450

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.9V @ 250µA,

SQ3987EV-T1_GE3

بخش سهام: 16233

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 133 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI5915DC-T1-E3

بخش سهام: 2988

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI3585DV-T1-GE3

بخش سهام: 3014

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, 1.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

SI7956DP-T1-E3

بخش سهام: 43929

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

SI3552DV-T1-GE3

بخش سهام: 189573

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SQJ956EP-T1_GE3

بخش سهام: 9990

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26.7 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL15DN4F5

بخش سهام: 56764

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

SSM6N42FE(TE85L,F)

بخش سهام: 2976

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 800mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 1mA,

PMDXB950UPELZ

بخش سهام: 106171

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 950mV @ 250µA,

UPA1764G(0)-E1-AZ

بخش سهام: 3007