Menu
فارسیفارسی
0RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

DMN4026SSDQ-13
Diodes Incorporated

DMN4026SSDQ-13

بخش سهام: 155222

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMS3017SSD-13
Diodes Incorporated

DMS3017SSD-13

بخش سهام: 185603

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMN3033LSD-13
Diodes Incorporated

DMN3033LSD-13

بخش سهام: 155650

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMC6040SSDQ-13
Diodes Incorporated

DMC6040SSDQ-13

بخش سهام: 175181

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMP2035UTS-13
Diodes Incorporated

DMP2035UTS-13

بخش سهام: 121298

نوع FET: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.04A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMP3048LSD-13
Diodes Incorporated

DMP3048LSD-13

بخش سهام: 155

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMG4932LSD-13
Diodes Incorporated

DMG4932LSD-13

بخش سهام: 198063

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMP6050SSD-13
Diodes Incorporated

DMP6050SSD-13

بخش سهام: 126823

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMN6022SSD-13
Diodes Incorporated

DMN6022SSD-13

بخش سهام: 175957

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Ta), 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMC4029SK4-13
Diodes Incorporated

DMC4029SK4-13

بخش سهام: 187840

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMG6301UDW-13
Diodes Incorporated

DMG6301UDW-13

بخش سهام: 187231

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 240mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه
ZXMC4A16DN8TA
Diodes Incorporated

ZXMC4A16DN8TA

بخش سهام: 141777

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.2A (Ta), 4.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250mA (Min),

به لیست دلخواه
ZXMP6A18DN8TA
Diodes Incorporated

ZXMP6A18DN8TA

بخش سهام: 69255

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

به لیست دلخواه
DMHC4035LSDQ-13
Diodes Incorporated

DMHC4035LSDQ-13

بخش سهام: 148621

نوع FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V, 65 mOhm @ 4.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMC3730UFL3-7
Diodes Incorporated

DMC3730UFL3-7

بخش سهام: 145530

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.1A, 700mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 950mV @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMHC10H170SFJ-13
Diodes Incorporated

DMHC10H170SFJ-13

بخش سهام: 133992

نوع FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
DMP6110SSD-13
Diodes Incorporated

DMP6110SSD-13

بخش سهام: 102694

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
FQS4900TF
ON Semiconductor

FQS4900TF

بخش سهام: 117878

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, 300V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.3A, 300mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 650mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.95V @ 20mA,

به لیست دلخواه
NVMFD5C668NLT1G
ON Semiconductor

NVMFD5C668NLT1G

بخش سهام: 46

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15.5A (Ta), 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 50µA,

به لیست دلخواه
FDMS3660AS
ON Semiconductor

FDMS3660AS

بخش سهام: 111729

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

به لیست دلخواه
ECH8690-TL-H
ON Semiconductor

ECH8690-TL-H

بخش سهام: 156738

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, 4V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.7A, 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V,

به لیست دلخواه
NTMD6N03R2G
ON Semiconductor

NTMD6N03R2G

بخش سهام: 188884

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه
ECH8657-TL-H
ON Semiconductor

ECH8657-TL-H

بخش سهام: 165958

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 35V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

به لیست دلخواه
NVMFD5C466NWFT1G
ON Semiconductor

NVMFD5C466NWFT1G

بخش سهام: 175

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه
NTZD3158PT1G
ON Semiconductor

NTZD3158PT1G

بخش سهام: 177029

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 430mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه
FDMS3600AS
ON Semiconductor

FDMS3600AS

بخش سهام: 89370

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

به لیست دلخواه
ECH8668-TL-H
ON Semiconductor

ECH8668-TL-H

بخش سهام: 150790

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A, 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 4A, 4.5V,

به لیست دلخواه
NVMD4N03R2G
ON Semiconductor

NVMD4N03R2G

بخش سهام: 187212

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
FDMA1023PZ-F106
ON Semiconductor

FDMA1023PZ-F106

بخش سهام: 63

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه
MTM763200LBF
Panasonic Electronic Components

MTM763200LBF

بخش سهام: 150350

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.9A, 1.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 1mA,

به لیست دلخواه
FC8V33030L
Panasonic Electronic Components

FC8V33030L

بخش سهام: 192655

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 33V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 480µA,

به لیست دلخواه
TC6320K6-G
Microchip Technology

TC6320K6-G

بخش سهام: 71235

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 1mA,

به لیست دلخواه
TC8020K6-G-M937
Microchip Technology

TC8020K6-G-M937

بخش سهام: 11166

نوع FET: 6 N and 6 P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 1mA,

به لیست دلخواه
LN60A01EP-LF
Monolithic Power Systems Inc.

LN60A01EP-LF

بخش سهام: 56695

نوع FET: 3 N-Channel, Common Gate, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

به لیست دلخواه
SP8K24FRATB
Rohm Semiconductor

SP8K24FRATB

بخش سهام: 123

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 45V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

به لیست دلخواه
TT8J2TR
Rohm Semiconductor

TT8J2TR

بخش سهام: 170382

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

به لیست دلخواه