نوع FET: N and P-Channel, Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, 13A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.3V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A, 31A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.7V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A, 26.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.3V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.1A, 16A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.5A, 17A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.9 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.3V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 47 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.4V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 850mV @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15.8 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.6A, 8.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 850mV @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 100µA,
