دیودها - ظرفیت متغیر (Varicaps ، Varactors) | محصولات نیمه هادی گسسته | 16

BBY 52-02W E6327

بخش سهام: 7468

ظرفیت @ Vr، F: 1.45pF @ 4V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 2.1, شرایط نسبت خازنی: C1/C4, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 7V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BBY5202LE6327XTMA1

بخش سهام: 7459

ظرفیت @ Vr، F: 1.45pF @ 4V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 2.1, شرایط نسبت خازنی: C1/C4, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 7V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BBY5103WE6327HTSA1

بخش سهام: 4812

ظرفیت @ Vr، F: 3.7pF @ 4V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 2.2, شرایط نسبت خازنی: C1/C4, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 7V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BBY 51 E6327

بخش سهام: 7482

ظرفیت @ Vr، F: 3.7pF @ 4V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 2.2, شرایط نسبت خازنی: C1/C4, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 7V, نوع دیود: 1 Pair Common Cathode,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BBY 51-02W E6327

بخش سهام: 7487

ظرفیت @ Vr، F: 3.7pF @ 4V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 2.2, شرایط نسبت خازنی: C1/C4, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 7V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BBY 51-02L E6327

بخش سهام: 7501

ظرفیت @ Vr، F: 3.7pF @ 4V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 2.2, شرایط نسبت خازنی: C1/C4, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 7V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 833 E6433

بخش سهام: 7489

ظرفیت @ Vr، F: 0.9pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 12.4, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB814E6327GR2HTSA1

بخش سهام: 7435

ظرفیت @ Vr، F: 22.7pF @ 8V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 2.25, شرایط نسبت خازنی: C2/C8, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 18V, نوع دیود: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr ، F: 200 @ 2V, 100MHz,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 814 E6433 GR1

بخش سهام: 7496

ظرفیت @ Vr، F: 22.7pF @ 8V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 2.25, شرایط نسبت خازنی: C2/C8, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 18V, نوع دیود: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr ، F: 200 @ 2V, 100MHz,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 814 B6327 GR1

بخش سهام: 7457

ظرفیت @ Vr، F: 22.7pF @ 8V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 2.25, شرایط نسبت خازنی: C2/C8, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 18V, نوع دیود: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr ، F: 200 @ 2V, 100MHz,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 804 SF3 E6327

بخش سهام: 7510

ظرفیت @ Vr، F: 47.5pF @ 2V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 1.71, شرایط نسبت خازنی: C2/C8, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 18V, نوع دیود: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr ، F: 200 @ 2V, 100MHz,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB804SF2E6327HTSA1

بخش سهام: 7462

ظرفیت @ Vr، F: 47.5pF @ 2V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 1.71, شرایط نسبت خازنی: C2/C8, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 18V, نوع دیود: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr ، F: 200 @ 2V, 100MHz,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 689 E7908

بخش سهام: 7500

ظرفیت @ Vr، F: 2.9pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 23.2, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 689-02V E7902

بخش سهام: 7492

ظرفیت @ Vr، F: 2.9pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 23.2, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 689-02V E7908

بخش سهام: 4833

ظرفیت @ Vr، F: 2.9pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 23.2, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 664 E7902

بخش سهام: 7436

ظرفیت @ Vr، F: 2.75pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 17.8, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB669E7904HTSA1

بخش سهام: 7478

ظرفیت @ Vr، F: 2.9pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 23.2, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 659C E7902

بخش سهام: 7433

ظرفیت @ Vr، F: 2.75pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 15.3, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 659C-02V E7908

بخش سهام: 4749

ظرفیت @ Vr، F: 2.75pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 15.3, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 659 E7908

بخش سهام: 7428

ظرفیت @ Vr، F: 2.9pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 14.7, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 659C-02V E7902

بخش سهام: 7477

ظرفیت @ Vr، F: 2.75pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 15.3, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB644E7904HTSA1

بخش سهام: 4771

ظرفیت @ Vr، F: 2.75pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 17.8, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 659 E7902

بخش سهام: 7500

ظرفیت @ Vr، F: 2.9pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 14.7, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 565 E7908

بخش سهام: 7501

ظرفیت @ Vr، F: 2.2pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 11, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 639 E7906

بخش سهام: 7430

ظرفیت @ Vr، F: 2.9pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 14.7, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 565-02V E7902

بخش سهام: 7451

ظرفیت @ Vr، F: 2.2pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 11, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 565 E7902

بخش سهام: 7494

ظرفیت @ Vr، F: 2.2pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 11, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 555 E7908

بخش سهام: 7506

ظرفیت @ Vr، F: 2.3pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 9.8, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 555 E7902

بخش سهام: 7446

ظرفیت @ Vr، F: 2.3pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 9.8, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB55502VE7908XT

بخش سهام: 7458

ظرفیت @ Vr، F: 2.3pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 9.8, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 545 E7908

بخش سهام: 7461

ظرفیت @ Vr، F: 2.2pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 11, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BB 555-02V E7902

بخش سهام: 4796

ظرفیت @ Vr، F: 2.3pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 9.8, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

BBY 57-02V E6327

بخش سهام: 4776

ظرفیت @ Vr، F: 5.5pF @ 4V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 4.5, شرایط نسبت خازنی: C1/C4, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 10V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

NXP USA Inc.

BB145,115

بخش سهام: 7451

ظرفیت @ Vr، F: 3.25pF @ 4V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 2, شرایط نسبت خازنی: C1/C4, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 6V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه

NXP USA Inc.

BB200,215

بخش سهام: 4780

ظرفیت @ Vr، F: 14.8pF @ 4.5V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 5, شرایط نسبت خازنی: C1/C5, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 18V, نوع دیود: 1 Pair Common Cathode,

به لیست دلخواه

NXP USA Inc.

BBY31,215

بخش سهام: 7498

ظرفیت @ Vr، F: 2pF @ 28V, 1MHz, نسبت ظرفیت: 8.3, شرایط نسبت خازنی: C1/C28, ولتاژ - حداکثر معکوس (حداکثر): 30V, نوع دیود: Single,

به لیست دلخواه