ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش بایا | محصولات نیمه هادی گسسته | 42

MUN5216DW1T1

بخش سهام: 1438

نوع ترانزیستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T1G

بخش سهام: 154023

نوع ترانزیستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T5

بخش سهام: 1465

نوع ترانزیستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

NSVB124XPDXV6T1G

بخش سهام: 133175

نوع ترانزیستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

بخش سهام: 168681

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 1 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 1 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 3 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

بخش سهام: 163385

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

EMC5DXV5T1

بخش سهام: 3198

نوع ترانزیستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

SMUN5315DW1T1G

بخش سهام: 151022

نوع ترانزیستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

بخش سهام: 182502

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 35 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T5G

بخش سهام: 152242

نوع ترانزیستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

بخش سهام: 138883

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

بخش سهام: 1489

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

بخش سهام: 1507

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

بخش سهام: 1480

نوع ترانزیستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

به لیست دلخواه

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

بخش سهام: 181191

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

بخش سهام: 1463

نوع ترانزیستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

بخش سهام: 1523

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه

Diodes Incorporated

DDA144EK-7-F

بخش سهام: 124106

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه

Diodes Incorporated

DDA124EK-7-F

بخش سهام: 116873

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 56 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه

Diodes Incorporated

DDA114YU-7

بخش سهام: 1386

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 68 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه

Rohm Semiconductor

IMB4AT110

بخش سهام: 116363

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

به لیست دلخواه

Rohm Semiconductor

UMF8NTR

بخش سهام: 111347

نوع ترانزیستور: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, 15V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

به لیست دلخواه

Rohm Semiconductor

FMG5AT148

بخش سهام: 191530

نوع ترانزیستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه

Rohm Semiconductor

UMD6NTR

بخش سهام: 125967

نوع ترانزیستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

به لیست دلخواه

Panasonic Electronic Components

XP0621000L

بخش سهام: 1473

نوع ترانزیستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

Panasonic Electronic Components

DMG264020R

بخش سهام: 139566

نوع ترانزیستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 60 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

Panasonic Electronic Components

XN0111M00L

بخش سهام: 1478

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

Panasonic Electronic Components

XP0421M00L

بخش سهام: 1422

نوع ترانزیستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

Panasonic Electronic Components

NP0G3A000A

بخش سهام: 1454

نوع ترانزیستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 80mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه

Nexperia USA Inc.

PBLS6004D,115

بخش سهام: 100158

نوع ترانزیستور: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, 700mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, 60V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

به لیست دلخواه

Nexperia USA Inc.

PIMN31,115

بخش سهام: 149516

نوع ترانزیستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 1 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه

Nexperia USA Inc.

PEMH9,115

بخش سهام: 174446

نوع ترانزیستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 100 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه

Nexperia USA Inc.

PUMD17,115

بخش سهام: 141367

نوع ترانزیستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 60 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه

Nexperia USA Inc.

PUMB2,115

بخش سهام: 142176

نوع ترانزیستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه

NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

بخش سهام: 1384

نوع ترانزیستور: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, 40V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 2.2 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

به لیست دلخواه

NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

بخش سهام: 1498

نوع ترانزیستور: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, 40V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

به لیست دلخواه