Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، پیش مغرضانه

DTA143EEBTL
Rohm Semiconductor

DTA143EEBTL

بخش سهام: 167279

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه
DTA144WKAT146
Rohm Semiconductor

DTA144WKAT146

بخش سهام: 180435

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 30mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 56 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
DTA144TKAT146
Rohm Semiconductor

DTA144TKAT146

بخش سهام: 103542

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

به لیست دلخواه
DTA143TUBTL
Rohm Semiconductor

DTA143TUBTL

بخش سهام: 113791

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

به لیست دلخواه
PDTD123EUF
Nexperia USA Inc.

PDTD123EUF

بخش سهام: 161915

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 2.2 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 40 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
PDTD113ZUF
Nexperia USA Inc.

PDTD113ZUF

بخش سهام: 156593

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 1 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
PBRN113ZT,215
Nexperia USA Inc.

PBRN113ZT,215

بخش سهام: 114333

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 600mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 40V, مقاومت - پایه (R1): 1 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 500 @ 300mA, 5V,

به لیست دلخواه
PDTA144WU,115
Nexperia USA Inc.

PDTA144WU,115

بخش سهام: 186483

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 60 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
FJY3009R
ON Semiconductor

FJY3009R

بخش سهام: 3263

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 40V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

به لیست دلخواه
MUN5136T1G
ON Semiconductor

MUN5136T1G

بخش سهام: 181881

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 100 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 100 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه
NSVMMUN2232LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2232LT1G

بخش سهام: 176648

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 15 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه
MUN5133T1G
ON Semiconductor

MUN5133T1G

بخش سهام: 124717

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه
FJY4001R
ON Semiconductor

FJY4001R

بخش سهام: 1886

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 20 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه
MUN5132T1G
ON Semiconductor

MUN5132T1G

بخش سهام: 176294

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 15 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه
MUN2235T1G
ON Semiconductor

MUN2235T1G

بخش سهام: 135766

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه
MUN2113T1G
ON Semiconductor

MUN2113T1G

بخش سهام: 193577

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه
RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406,LF

بخش سهام: 138320

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه
RN2109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109MFV,L3F

بخش سهام: 1723

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه
RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402,LF

بخش سهام: 154084

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه
DDTC143ZCA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC143ZCA-7-F

بخش سهام: 151001

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

به لیست دلخواه
UNR321N00L
Panasonic Electronic Components

UNR321N00L

بخش سهام: 146933

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

به لیست دلخواه