دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها | محصولات نیمه هادی گسسته | 100

MF200K06F2-BP

بخش سهام: 2096

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.6V @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MURTA60040R

بخش سهام: 1014

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.5V @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A060

بخش سهام: 3220

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 120A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MURT20005

بخش سهام: 1230

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 50V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MUR20010CTR

بخش سهام: 1241

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)D

بخش سهام: 1863

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1000V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 150A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 150A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MURTA40040R

بخش سهام: 964

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 200A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MSRT100140(A)D

بخش سهام: 1918

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 100A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBRT60035R

بخش سهام: 968

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A150

بخش سهام: 2527

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 160A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 160A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBRT20035R

بخش سهام: 1367

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MUR40010CTR

بخش سهام: 1252

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 125A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MUR30010CTR

بخش سهام: 1392

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CTR

بخش سهام: 1502

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MUR20005CT

بخش سهام: 1207

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 50V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR300200CT

بخش سهام: 1452

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 150A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A04

بخش سهام: 2843

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MUR30040CTR

بخش سهام: 1329

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.5V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR12060CT

بخش سهام: 1522

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A060

بخش سهام: 3312

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

FST100200

بخش سهام: 1661

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 50A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBRT500100R

بخش سهام: 1083

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MURTA40020R

بخش سهام: 985

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 200A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CTPBF

بخش سهام: 37

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 8A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 975mV @ 8A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

SBAS40-06LT1G

بخش سهام: 116103

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120mA (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1V @ 40mA, سرعت: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

MBR4045WTG

بخش سهام: 18105

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 20A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 20A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

MMBD1405A

بخش سهام: 134157

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 175V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200mA, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 200mA, سرعت: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

NRVBD650CTT4G-VF01

بخش سهام: 146097

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 50V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 3A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 3A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

NRVBB2060CTT4G

بخش سهام: 161027

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 20A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 950mV @ 20A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Microsemi Corporation

MSCD200-12

بخش سهام: 1707

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 300A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Microsemi Corporation

MSCD200-16

بخش سهام: 1634

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 300A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

DD340N18SHPSA1

بخش سهام: 72

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1800V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 330A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

STMicroelectronics

STPSC20H065CWY

بخش سهام: 9239

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Silicon Carbide Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 650V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 10A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.75V @ 10A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Sensata-Crydom

F1892RD1200

بخش سهام: 738

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 90A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.4V @ 270A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Power Integrations

LQA10N150C

بخش سهام: 150976

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 5A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 5A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Sanken

FMD-4206S

بخش سهام: 20421

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 20A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 10A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه